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中芯國際要「揮刀自宮」? 因應美國晶元禁令

近日對中國實施禁令,設備「應材(Applied Materials)」透露,中企正在降低技術門檻,以符合美方規定。除傳出將會採用17奈米製程,存儲也因為128層以上的3D NAND設備遭斷源,考慮減少3D NAND的層數因應。

中芯因應禁令,將採用17奈米製程。(圖/翻攝自中芯國際官網)

美國近日對中國實施晶元禁令,半導體設備供應商「應材(Applied Materials)」透露,中企正在降低技術門檻,以符合美方規定。除傳出中芯國際將會採用17奈米製程,長江存儲也因為128層以上的3D NAND設備遭斷源,考慮減少3D NAND的層數因應。

根據全球知名硬體網站Tom』s Hardware報導,今年10月對中國半導體和超級電腦行業祭出全面制裁后,全球半導體行業股票市值立即蒸發約2400億美元。經過一段時間沉澱,中企已開始調整製程來規避禁令。

應材財務長希爾(Brice Hill)說,正試圖向客戶說明,一旦確定他們的技術符合美國指導方針,我們就可以申請許可或獲得授權。我們預計一些客戶可能會改變計劃或調整製程,降低技術門檻。

長江存儲考慮減少3D NAND的層數。(圖/翻攝自長江存儲網頁ymtc.com)

儘管應材並未說明細節,推斷中芯國際將會採用17奈米製程,這也意味中芯的客戶必須調整現有設計,以便其晶元能達到特定性能及功率。至於長江存儲因128層以上的3D NAND設備遭斷源,可能減少3D NAND的層數。但128層3D NAND設備對應于非常特定的3D TLC或3D QLC容量,因此僅關閉某些層將影響這些設備的

報導內容指出,雖然很多事情理論上可行,而中芯國際和長江存儲也不願意放棄價值數十億美元的設備,只是調整設備製程的代價高昂,也非一蹴可幾,加上客戶的驗證、資格認證需要時間,不要指望短期奏效。

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 來源:三立新聞

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