遭美國制裁多年，大陸科技巨頭華為（HuaWei）不僅手機業務大幅萎縮，半導體也難以採購及代工。華為11月公布一項EUV光刻新技術專利，暗示能夠生產7奈米以下的晶元，突破美國圍堵，但外媒不看好，稱許多關鍵零組件只有荷商艾司摩爾能夠供應，而後者因美國禁令而無法對大陸出口。
遭美國制裁多年，大陸科技巨頭華為（HuaWei）不僅手機業務大幅萎縮，半導體也難以採購及代工。華為11月公布一項EUV光刻新技術專利，暗示能夠生產7奈米以下的晶元，突破美國圍堵，但外媒不看好，稱許多關鍵零組件只有荷商艾司摩爾能夠供應，而後者因美國禁令而無法對大陸出口。
華為11月公布一項新專利申請，《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》，新專利提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了優化，進而達到勻光的目的。
不過外媒Tom』s Hardware指出，專利申請並不等於能夠製造設備，尤其EUV設備更是一項高度複雜的機器，需要許多先進零組件，並且與其他廠商的長期配合。此外，即便擁有EUV設備，仍需光罩、抗蝕劑及其他量產所需的材料。
擁有0.33數值孔徑的EUV設備是目前最先進的半導體製造設備，但僅有艾司摩爾經過數十年的研發，並在英特爾、三星和台積電等半導體廠的資金支持下才取得成功，目前只有英特爾、美光、三星、SK海力士和台積電等5家半導體廠，已經使用或計劃使用艾司摩爾的EUV設備。
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來源：中時新聞網