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晶元禁令奏效？英特爾執行長稱中國半導體「落後十年」未來只會更艱困

2024 年 1 月 20 日下午 5:15

英特爾（Intel）執行長季辛格（Pat Gelsinger）認為，美國、日本、荷蘭對中國半導體業的制裁限制了其 7 奈米以上製程技術的發展。他直指，儘管中國將繼續發展其半導體實力，並或將於國內設計更先進的晶元製造工具，但它在該領域仍落後全球約十年，而且這種情況將維持下去。

英特爾執行長季辛格（Pat Gelsinger）認為，國際對中國半導體業的制裁限制了其7奈米以上製程的發展，迫使其在該領域的技術落後全球約十年。圖：取自「X」@RamblingAK

英特爾（Intel）執行長季辛格（Pat Gelsinger）認為，美國、日本、荷蘭對中國半導體業的制裁限制了其7奈米以上製程技術的發展。他直指，儘管中國將繼續發展其半導體實力，並或將於國內設計更先進的晶元製造工具，但它在該領域仍落後全球約十年，而且這種情況將維持下去。

資訊科技媒體「Tom』s Hardware」報導，季辛格於瑞士城鎮達佛斯（Davos）舉行的世界經濟論壇（WEF）作出上述發言。他表示，近期包括荷蘭、美國及日本實施的出口政策，某種程度上為中國半導體業在10到7奈米範圍內設定了底線。然而「我們正在競相向2奈米以下，甚至是1.5奈米邁進，你知道我們看不到盡頭。」

據報導，目前中國代工廠中芯國際（SMIC）擁有7奈米製程技術，可用於製造智能手機應用處理器，較台積電和三星落後約5年半。同時，上海華力微電子公司（HLMC）傳已於2020年開始試產14奈米「鰭式場效電晶體」（FinFET）製程的晶元，這意味著它仍落後台積電9到10年。

但是，中芯國際和華力微電子都使用荷蘭、日本、韓國、台灣和美國生產的工具，以及日本的純原料。如果無法獲得這些資源，中國將不得不開發自己的晶圓廠設備和純化氣體（purify gases）、抗蝕劑和其他化學品的方法，以實現尖端晶元的生產。

現代半導體製程技術需要全球整個產業的共同努力、大量的基礎研究以及數千億美元的研發投入，中國是否能夠獨自應對這一切還有待商榷。同時，如果中國完全與先進的晶元製造工具和技術隔絕，其半導體公司可能會嘗試逆向工程（Reverse Engineering，技術、產品仿造）複製他們可以掌握的設備，以縮小與全球晶元業的差距。這並不完全是一種可持續的方法，但他們可能別無選擇。