阿波罗网王笃若报导/中国华为Mate 80 Pro Max搭载的麒麟9030 Pro芯片，采用中芯国际N+3制程，这是早期N+2（7奈米）制程的升级版，也是目前中国最先进的国产半导体制造技术。半导体研究机构《SemiAnalysis》15日发布拆解报告指出，中芯国际N+3制程在电晶体密度上已达到台积电N6（6奈米，属于7奈米家族强化版）等级，但制程成熟度、良率与成本仍明显落后，中国与台积电、英特尔、三星之间的差距并未缩小。
报告显示，中芯国际为了达到N6等级密度，必须采用更复杂的DUV多重曝光技术，导致制造成本大幅增加。中媒形容，中芯国际是在印制相同面额的钞票，但每张成本却是台积电的数倍，而且良率更低。
拆解发现，麒麟9030 Pro性能大致相当于3年前的安卓旗舰芯片，与苹果、高通、联发科及三星当前旗舰芯片相比仍有明显差距，能效落后幅度更大。
报告指出，美国联合盟友实施出口管制后，虽未阻止华为与中芯国际生产先进芯片，却迫使其绕道发展。由于无法取得EUV设备，中芯国际只能依赖DUV多重曝光、DTCO（设计制程协同优化）及更复杂的整合技术推进制程。
尽管中芯国际持续透过更严格设计规则及背面功耗技术路线推动发展，华为也发展出“韬定律”和Logic Folding等方案，但每向前推进一步，都会增加成本与制程风险。
《SemiAnalysis》认为，中芯国际尚未超越台积电、英特尔或三星。虽然凭借激进的DUV微缩技术与DTCO实现了接近台积电N6等级的密度，但受限于两大因素：一是与全球领先制程的代差，二是华为芯片核心设计本身，因此密度优势并未转化为相应的性能与效率。
报告强调，拆解结果显示，中国半导体产业并未缩小与台积电、英特尔及三星的差距，反而暴露出更多限制，包括无法使用EUV、缺乏背面功耗控制、制程复杂度更高，以及多项技术取舍。
不过报告也指出，中国半导体技术仍在持续推进。若国产芯片性能足以满足智能手机、AI推理、网络设备及安全敏感型应用需求，即使无法在技术领先层面与台积电竞争，仍可能在战略层面发挥重要作用。
研调揭露中国半导体技术现况及困境。示意图。（路透）
原文链接：残酷真相：华为芯片最新大拆解(图)，来源：阿波罗网王笃若报导
