美國研究機構指出，在美國限制向中國出口先進半導體製造設備之際，中國仍取得數百台可用於製造先進晶元的浸潤式深紫外線(DUV)微影系統，顯示現行出口管制可能存在漏洞，建議全面禁止向中國出口浸潤式DUV設備。
香港《南華早報》2日報道，總部位於華盛頓的研究機構科技與國家治理能力中心(Centre for Technology& Statecraft)今年9月發表一份報告指出，截至2026年初，中國的晶圓廠預計已獲得343台浸潤式深紫外線(DUV)微影系統。該報告的作者包括前美國出口管制官員、前美國商務部科技政策顧問。
報道指出，美國制定了出口管制，禁止向中國出口規格較高的極紫外光曝光機(EUV)，所以中國晶元製造商高度依賴一些不在美國出口管制範圍內的浸潤式DUV，以生產先進半導體。
根據上述報告估算，中國廠商獲得的343台浸潤式DUV中，有270台屬於荷蘭半導體生產設備製造商艾司摩爾(ASML)的Twinscan NXT:1980i系統。
雖然浸潤式DUV的技術落後于EUV，但經過調整后，仍可用於製造7奈米邏輯晶元，以及人工智慧處理器(包括華為升騰系列)所需的高階記憶體。
該報告又指出，單是2024年及2025年，中國的晶圓廠花費超過130億美元購買NXT:1980i系統。
報道表示，荷蘭當局於2023年9月起規定，出口艾司摩爾規格更高的NXT:2000i及以上浸潤式DUV需要許可證。其後也規定出口NXT:1980i系統需要許可證，但該型號的出口仍可逐案獲得批准。
報告認為，目前的做法留下重大漏洞。為堵塞此漏洞，報告建議全面禁止向中國出口浸潤式DUV，同時限制相關零件供應與維修服務。報告並建議美國與荷蘭協調，或單方面將美國的出口管制，擴大到採用美國技術的外國製造設備。
來源：中央社